教員業績

ふりがな

氏  名

やすだ あらた

安田 新

 

所 属・職

情報コース

ITソフトウェア分野

教授

学  歴

 

 

・東北大学工学部卒業 平成123

・東北大学大学院工学研究科博士前期

 2年の課程 平成143

・東北大学大学院工学研究科博士後期

 3年の課程 平成173

学  位

 

称  号

・修士(工学)

 東北大学

・博士(工学)

 東北大学

経  歴

平成174月―平成253月 民間企業勤務

平成254月 鶴岡工業高等専門学校制御情報工学科 准教授

平成257-10月 タイ国キングモンクット工科大学ラカバン校 客員研究員

平成274月 鶴岡工業高等専門学校創造工学科 情報コース 准教授

平成304月 鶴岡工業高等専門学校創造工学科 情報コース 教授

専門分野

電子・光計測、半導体光デバイス、半導体結晶成長

研究テーマ

電子・光計測、テラヘルツ分光、半導体光デバイス、結晶成長の研究、超伝導体

所属学会

応用物理学会、機械学会

担当科目

本 科:工学実験・実習UV、論理回路、電気工学演習

主な著書

なし

主な論文

1.         "Negative Resistance of Reverse-biased PbSnTe/PbTe Double Hetero junction Diodes", Results in Physics (査読あり), 平成281, 6, 2016,pp.41-42

2.         Amplitude measurement of micro-vibration with robust optical interferometer systems", Optik, (査読あり), 平成2712, 126, pp. 4577-4580, 

3.         Mid-infrared transmission imaging and spectroscopy with PbSnTe laser diodes grown with stoichiometry-controlled liquid-phase epitaxy, Infrared Physics and Technology, (査読あり), 平成279, 72, pp.249-253

4.         Mid-infrared photoconductive properties of heavily Bi-doped PbTe p-n homojunction diode grown by liquid-phase epitaxy" , Infrared Physics and Technology, 平成2611月, 67, pp.609–612

5.         Lasing properties of PbSnTe/PbTe double hetero mid-infrared laser diodes grown by temperature difference method under controlled vapor pressure liquid-phase epitaxy, Materials Science in Semiconductor Processing (査読あり), 平成2611, 27pp.159-162

主な特許等

なし

主な招待講演

1EMN open access meeting, (招待講演), "Terahertz Absorbance Properties of CuZnSnS Solar Cell Materials Using Tunable Terahertz Spectroscopy System", 平成279, 成都,中国

2. Energy Materials Nanotechnology Cancun meeting, (招待講演), "Properties of PbTe mid-infrared imaging devices of focal plane arrays" 平成276月,カンクン,メキシコ

3. 静岡大学『「まだないニーズ」創発プログラムの構築』事業ワークショップ, 安田 新(招待講演),平成271月,静岡大学浜松キャンパス

 

校  務

 

教務主事補、ITソフトウェア分野リーダー、国際交流支援室副室長、戦略企画プロジェクトチーム、教務委員会、情報技術専門部、

学級担任

なし

部活顧問

なし