教員業績

ふりがな

氏  名

おおにし ひろまさ

大西 宏昌

 

所 属・職

電気・電子コース

エレクトロニクス分野

准教授

学  歴

 

 

・高知大学理学部卒業 平成133

・高知大学大学院理学研究科修士課程修了

 平成153

・高知大学大学院理学研究科博士後期課程

 修了 平成183

学  位

 

称  号

・修士(理学)

 高知大学

・博士(理学)

 高知大学

経  歴

平成25 4月 鶴岡工業高等専門学校 総合科学科 助教

平成27 4  鶴岡工業高等専門学校創造工学科 電気・電子コース 助教

平成28 4月 鶴岡工業高等専門学校創造工学科 電気・電子コース 准教授

専門分野

理論固体物理学、計算物理

研究テーマ

光励起キャリアのダイナミクスの理論研究

遷移金属酸化物の電子状態に関する理論研究

所属学会

日本物理学会

担当科目

本 科:物理T、応用物理TU、数理科学

専攻科:なし

主な著書

なし

主な論文

1.      H. Ohnishi, N. Tomita, and K. Nasu, “Instantaneous Intervalley Transition Just at the Franck-Condon State in the Conduction Band of GaAs”, J. Phys. Soc. Jpn. 85, 013705 (Letters) (2016).

2.      H. Ohnishi, N. Tomita, and K. Nasu, “Real Time Relaxation Dynamics of Macroscopically Photo-Excited Electrons toward the Fermi Degeneracy Formation in the Conduction Band of Semiconductors”, J. Phys. Soc. Jpn. 84, 043701(Letters) (2015).

3.      H. Ohnishi, T. Kosugi, T. Miyake, S. Ishibashi and K. Terakura, “Spin-canting in lightly electron-doped CaMnO3”, Phys. Rev. B, 85, 165128 (2012).

4.         H. Ohnishi and K. Nasu, “Generation and growth of the sp3-bonded domain by visible photon irradiation of graphite”, Phys. Rev. B 80, 014112 (2009).

5.         H. Ohnishi and K. Nasu, “Photoinduced domain-type collective structural changes with inter-layer σ-bonds in the visible region of graphite”, Phys. Rev. B 79, 054111 (2009).

主な特許等

なし

主な招待講演

H. Ohnishi, “Theory for Ultrafast Carrier Relaxation in the Conduction Band of Semiconductors” (B35), ICSS 2015, Phuket, Thailand, Nov. 4-7, 2015.

校  務

 

学生主事補、総合メディアセンター情報メディア部門長、学生委員会、情報技術専門部、

学級担任

なし

部活顧問

テニス部