本校専攻科生産システム工学専攻電気電子・情報コース2年の髙橋崇典君の研究論文が査読付き英文誌に掲載されました

本校専攻科2年の髙橋崇典君(指導教員:内山潔教授)の研究論文が査読付き英文誌(Physica Status Solidi、インパクトファクター=1.775(2018年3月23日現在))に掲載されました。本論文の題名は“Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor Using High-k SrTa2O6 as Gate Insulator Deposited by Sputtering Method”(邦題:スパッタ法で作製した高誘電率SrTa2O6をゲート絶縁膜に用いた非晶質InGaZnO薄膜トランジスタの改善)であり、絶縁性に優れたSrTa2O6を作製しそれをゲート絶縁膜に用いることでアモルファスInGaZnO薄膜トランジスタの特性を大きく改善できることを見出したものです。

本論文は高橋君が筆頭著者として内山教授の指導のもと主体的に論文を執筆し、共同著者として本校の宝賀剛准教授や奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)の浦岡行治教授の研究グループが加わっています。本論文はNAISTと本校の共同研究成果まとめたものですが、査読付き英文誌への論文掲載は優秀な大学院(修士課程)学生に匹敵する成果であり、高橋君の今後のさらなる活躍が期待されます。

 
 該当論文の序文

 

 

 

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