本校専攻科2年 電気電子・情報コース 髙橋崇典君の執筆論文が米国物理学協会の学会講演要旨集に掲載されました。

本校専攻科2年の髙橋崇典君(指導教員:内山潔教授)が筆頭著者として執筆した論文がAIP(American Institute of Physics, 米国物理学協会)の学会講演要旨集に掲載されました(AIP Conference Proceedings, Vol. 1892, p.150003 (2017))。本論文は平成29年8月8日(火)~9日(水)にマレーシア・ペナン島で開催された国際会議IGNITE-AICCE'17( Sustainable Technology and Practice for Infrastructure and Community Resilience)での発表内容をまとめたものです。

今回の髙橋君の論文は“Fabrication of amorphous InGaZnO thin-film transistor with solution processed SrZrO3”(邦題:溶液プロセスを用いたアモルファスInGaZnO 薄膜トランジスタの作製)という題目で、これは高誘電体酸化物であるSrZrO3を溶液法で作製し、それをゲート絶縁膜に用いることでInGaZnO薄膜トランジスタの動作電圧を改善した成果を論文化したものです。

本研究は、本校と奈良先端科学技術大学院大学の浦岡行治教授との共同研究結果であり、、共著者として同大学院大学の浦岡教授、及川氏および、本校の宝賀准教授、内山教授(責任著者)が論文作成に加わっています。高橋君は本校専攻科修了後に奈良先端科学技術大学院大学修士課程に進学の予定であり、本校修了までの半年間で本成果をさらに発展させるべく研究を続けています。

当該論文の序文
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